Les données sont fournies à l'adresse suivante:
fabricant:
Infineon Technologies
Description:
Le modèle IGBT MOD 1200V 130A 660W
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les IGBT
Modules
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
130 A
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Montage du châssis
Le paquet:
plateau
Série:
-
Emballage / boîtier:
Module
Le nombre maximal d'émissions de CO2:
3.7V @ 15V, 100A
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
Pour les appareils électroniques
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Module
Mfr:
Infineon Technologies
Température de fonctionnement:
-40°C à 125°C
Courant - Coupe du collecteur (maximum):
5 mA
Type IGBT:
-
Puissance maximale:
660 W
Résultats de l'analyse:
La norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:
6.8 nF @ 25 V
Configuration:
Invertisseur à trois phases
Thermistors NTC:
Je ne veux pas
Numéro du produit de base:
Le numéro de série est le suivant:
Introduction
Module IGBT Trois-phase Inverseur 1200 V 130 A 660 W Module monté sur châssis
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ: