Le nombre total d'équipements utilisés est fixé par la Commission.
fabricant:
Infineon Technologies
Description:
Le modèle IGBT MOD 1200V 35A 210W
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les IGBT
Modules
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
35 A
Statut du produit:
Dépassé
Type de montage:
Montage du châssis
Le paquet:
Produits en vrac
Série:
-
Emballage / boîtier:
Module
Le nombre maximal d'émissions de CO2:
2Pour les appareils à commande numérique
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
Pour les appareils électroniques
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Module
Mfr:
Infineon Technologies
Température de fonctionnement:
-40°C à 150°C (TJ)
Courant - Coupe du collecteur (maximum):
1 mA
Type IGBT:
Arrêtez le champ de tranchées.
Puissance maximale:
Unité d'alimentation
Résultats de l'analyse:
La norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:
2 nF @ 25 V
Configuration:
Unique
Thermistors NTC:
Je ne veux pas
Introduction
Module IGBT arrêt de champ de tranchée unique 1200 V 35 A 210 W Module de montage de châssis
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ: