Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon.
fabricant:
Infineon Technologies
Description:
Le modèle IGBT MOD 600V 180A 570W
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les IGBT
Modules
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
180 A
Statut du produit:
Dépassé
Type de montage:
Montage du châssis
Le paquet:
plateau
Série:
-
Emballage / boîtier:
Module
Le nombre maximal d'émissions de CO2:
2.55V @ 15V, 150A
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
600 V ou plus
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Module
Mfr:
Infineon Technologies
Température de fonctionnement:
-40°C à 125°C
Courant - Coupe du collecteur (maximum):
5 mA
Type IGBT:
-
Puissance maximale:
570 W
Résultats de l'analyse:
La norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:
6.5 nF @ 25 V
Configuration:
Plein pont
Thermistors NTC:
Je suis désolé.
Numéro du produit de base:
F4150R
Introduction
Module IGBT Full Bridge 600 V 180 A 570 W Module monté sur le châssis
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ: